QPM6810 Qualcomm IC-RF Power Amplifier:LB L-PAMiD U1013 Samsung Galaxy A52 5G SM-A526B
QPM6810 Qualcomm 1201-004308 IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID LGA,58P U1100 Samsung Galaxy Tab S7 FE 5G SM-T736B
QPM6810 Qualcomm IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID LGA,58P U11300 Samsung Galaxy S23 Ultra SM-S918U
QPM6810 Qualcomm IC-RF Power AmplifierLB LPAMID LGA,58P U31001 Samsung W22 5G SM-W2022
QPM6810 Qualcomm IC-RF Power AmplifierLB LPAMID LGA,58P U31001 Samsung Galaxy Z Fold 3 SM-F926U
QPM6810 Qualcomm 1201-004308 IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID U11300 Samsung Galaxy S23 Ultra SM-S918B
QPM6810 Qualcomm 1201-004308 IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID LGA,58P U1004 Samsung Galaxy A73 5G SM-A736B
QPM6810 Qualcomm 1201-004308 IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID LGA,58P U1007 Samsung Galaxy A23 5G SM-A236B
Мікросхема Qualcomm QPM6810 (RF Power Amplifier Module)
QPM6810 — це високотехнологічний підсилювач потужності радіочастотного сигналу, розроблений для роботи в мережах 4G LTE та 5G. Модуль забезпечує стабільну передачу даних у середніх та високих частотних діапазонах, поєднуючи в собі високу вихідну потужність та енергоефективність.
Технічні характеристики
| Параметр |
Значення |
| Виробник |
Qualcomm |
| Тип компонента |
Mid/High Band Power Amplifier (PA) |
| Підтримка мереж |
5G NR (Sub-6GHz), 4G LTE-A |
| Тип корпусу |
LGA (Land Grid Array) Module |
| Сумісність |
Qualcomm Snapdrago |