Корзина
Опт та роздріб.З 01.01.26 усі віправлення на наступний день
Кращі запчастини для мобільних телефонів та планшетів в Україні
График работы
  • Понедельник
    10:0016:00
  • Вторник
    10:0016:00
  • Среда
    10:0016:00
  • Четверг
    10:0016:00
  • Пятница
    10:0016:00
  • Суббота
    Выходной
  • Воскресенье
    Выходной
Контакты
+380 (99) 002-77-76
+380 (67) 987-71-00
+380 (63) 615-25-25
Chipik
Харьков, Украина
https://chipik.com.ua/chipik.info@gmail.com+380669877100

Микросхема QPM6810 для Samsung A526, T736, S918, W2022. F926, S918 A736B, A236

295 ₴

Показать оптовые цены
  • Готово к отправке
  • Оптом и в розницу
  • Код: 29146
Микросхема QPM6810 для Samsung A526, T736, S918, W2022. F926, S918 A736B, A236
Микросхема QPM6810 для Samsung A526, T736, S918, W2022. F926, S918 A736B, A236Готово к отправке
295 ₴
+380 (99) 002-77-76
  • +380 (67) 987-71-00
  • +380 (63) 615-25-25
+380 (99) 002-77-76
  • +380 (67) 987-71-00
  • +380 (63) 615-25-25
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Описание
Характеристики
QPM6810 Qualcomm IC-RF Power Amplifier:LB L-PAMiD U1013 Samsung Galaxy A52 5G SM-A526B QPM6810 Qualcomm 1201-004308 IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID LGA,58P U1100 Samsung Galaxy Tab S7 FE 5G SM-T736B QPM6810 Qualcomm IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID LGA,58P U11300 Samsung Galaxy S23 Ultra SM-S918U QPM6810 Qualcomm IC-RF Power AmplifierLB LPAMID LGA,58P U31001 Samsung W22 5G SM-W2022 QPM6810 Qualcomm IC-RF Power AmplifierLB LPAMID LGA,58P U31001 Samsung Galaxy Z Fold 3 SM-F926U QPM6810 Qualcomm 1201-004308 IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID U11300 Samsung Galaxy S23 Ultra SM-S918B QPM6810 Qualcomm 1201-004308 IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID LGA,58P U1004 Samsung Galaxy A73 5G SM-A736B QPM6810 Qualcomm 1201-004308 IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID LGA,58P U1007 Samsung Galaxy A23 5G SM-A236B

Мікросхема Qualcomm QPM6810 (RF Power Amplifier Module)

QPM6810 — це високотехнологічний підсилювач потужності радіочастотного сигналу, розроблений для роботи в мережах 4G LTE та 5G. Модуль забезпечує стабільну передачу даних у середніх та високих частотних діапазонах, поєднуючи в собі високу вихідну потужність та енергоефективність.

Технічні характеристики

Параметр Значення
Виробник Qualcomm
Тип компонента Mid/High Band Power Amplifier (PA)
Підтримка мереж 5G NR (Sub-6GHz), 4G LTE-A
Тип корпусу LGA (Land Grid Array) Module
Сумісність Qualcomm Snapdrago
Основные атрибуты
ПроизводительSamsung
Информация для заказа
  • Цена: 295 ₴